DISQUE SSD NVME KIOXIA EXCERIA PLUS G4 GEN5
د.ج 44.000,00
CaractéristiqueSpécificationMarqueKIOXIAGammeEXCERIA PLUS G4Référence Constructeur (PN)LVD10Z001TG8Capacité1 To (1 000 Go)FormatM.2 2280 (Simple face)InterfacePCI Express® 5.0 x4ProtocoleNVMe™ Base Specification 2.0cType de Mémoire FlashBiCS FLASH™ 3D TLC (Triple-Level Cell)
⚡ Performances
-
Vitesse de Lecture Séquentielle : Jusqu’à 10 000 Mo/s
-
Vitesse d’Écriture Séquentielle : Jusqu’à 7 900 Mo/s
-
Lecture Aléatoire (4K IOPS) : Jusqu’à 1 300 000 IOPS
-
Écriture Aléatoire (4K IOPS) : Jusqu’à 1 400 000 IOPS
🛠️ Fiabilité et Consommation
-
Endurance Écriture (TBW) : 600 TBW (Téraoctets écrits)
-
Temps Moyen entre Pannes (MTTF) : 1,5 million d’heures
-
Consommation Énergétique (Active) : 5,3 W (typique)
-
Fonctionnalités Avancées : Gestion TRIM, Idle Time Garbage Collection
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CaractéristiqueSpécificationMarqueKIOXIAGammeEXCERIA PLUS G4Référence Constructeur (PN)LVD10Z001TG8Capacité1 To (1 000 Go)FormatM.2 2280 (Simple face)InterfacePCI Express® 5.0 x4ProtocoleNVMe™ Base Specification 2.0cType de Mémoire FlashBiCS FLASH™ 3D TLC (Triple-Level Cell)
⚡ Performances
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Vitesse de Lecture Séquentielle : Jusqu’à 10 000 Mo/s
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Vitesse d’Écriture Séquentielle : Jusqu’à 7 900 Mo/s
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Lecture Aléatoire (4K IOPS) : Jusqu’à 1 300 000 IOPS
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Écriture Aléatoire (4K IOPS) : Jusqu’à 1 400 000 IOPS
🛠️ Fiabilité et Consommation
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Endurance Écriture (TBW) : 600 TBW (Téraoctets écrits)
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Temps Moyen entre Pannes (MTTF) : 1,5 million d’heures
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Consommation Énergétique (Active) : 5,3 W (typique)
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Fonctionnalités Avancées : Gestion TRIM, Idle Time Garbage Collection
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